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首頁 > MOSFET
  • ·英特爾CPU缺貨紓解 MOSFET首季不淡2019.1.21
  • 英特爾去年增加資本支出擴增14奈米產能,隨著中央處理器(CPU)產能開出,缺貨問題在今年第一季獲得紓解,ODM/OEM廠已提高服務器及個人計算機出貨,再加上超威(AMD)及輝達(NVIDIA)的新款電競繪圖卡搶在第一季上市 ,同步帶動金氧半場效晶體管(… [閱讀全文]
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  • ·傳中興急單ODM/OEM抬價20%搶貨:MOSFET全年漲價30%2018.7.25
  • MOSFET漲價已經很長一段時間,從今年年初至今,其漲價幅度已經達到了5%-10%,相對另外一種被動元器件MLCC,MOSFET漲價幅度還算在可接受范圍之內。簡而言之,今年以來MOSFET一直處于供貨吃緊狀態,包括英飛凌、威世、意法半導體、安森美等國際IDM大… [閱讀全文]
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  • ·元器件漲價蔓延,MOSFET驅動IC首季漲價2018.4.2
  • 去年引爆的電子零組件缺貨、漲價風潮至今不停歇,今年以來包括MOSFET、 驅動IC等今年首季均傳出約百分之五到十間漲幅。   去年歐美及中國大陸的MOSFET廠均傳漲價動作,臺廠在穩固訂單的策略下,遲遲不敢漲,但由于上游的硅晶圓去年好幾波漲… [閱讀全文]
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  • ·晶圓產能漸增 臺系MOSFET芯片廠第1季營收走高2018.1.29
  • 雖然全球PC及NB市場需求在2018年初,擺明出現傳統淡季效應,加上2017年敲鑼打鼓的大陸電動車市場需求,自2018年第1季似乎也有雷聲大、雨點小的壓力,讓全球MOSFET芯片市場自2017年以來,始終供不應求的情形大幅紓解,不過,面對國際IDM大廠堅定調高M… [閱讀全文]
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  • ·電源IC、MOSFET廠商密集調價,8寸硅晶圓缺貨還在…2018.1.5
  • [img]http://image.52rd.com/2018/File2018151020928311.png[/img][center][/center]   國際電子商情最新消息,多家國內外原廠發布了自2018年1月1日起漲價的通知,主要集中在MOSFET、電源IC、LED驅動IC等產品,有的漲幅達到了15%-20%。 … [閱讀全文]
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  • ·傳統旺季來臨,中低壓MOSFET缺貨,臺廠接單到手軟2017.10.11
  • [img]http://image.52rd.com/2017/File2017101115383058616.png[/img][center][/center]   金氧半場效晶體管(MOSFET)今年第三季供給缺口持續擴大,價格出現明顯漲勢,受惠于ODM/OEM廠及系統廠擴大下單,包括尼克松、大中、富鼎等MOSFE… [閱讀全文]
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  • ·MOSFET供需緊張到年底 后段封裝訂單能見度無虞2017.8.30
  • 時序進入智能手機傳統旺季,快充話題持續發酵,大陸四大天王Oppo、Vivo、華為、小米將陸續導入更多快充功能,另一方面,超微(AMD)、英特爾(Intel)、NVIDIA新款服務器平臺、顯示卡等產品陸續進入市場,金氧半場效電晶體(MOSFET)使用顆數大增,… [閱讀全文]
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  • ·內存、MOSFET大缺貨開始影響下游系統廠2017.8.14
  • 第3季進入傳統電子產品銷售旺季,但今年受到DRAM、NAND/NOR Flash缺貨沖擊,加上金氧半場效晶體管(MOSFET)供貨吃緊,已影響到下游系統廠的出貨,除筆電廠及手機廠出貨因此遞延,家電及電視廠也開始對庫存進行調控,這些都進一步影響到其它芯片廠… [閱讀全文]
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  • ·Memory、處理器、MOSFET漲價,整機廠Q2備貨CIS和ToF2017.3.29
  • [img]http://image.52rd.com/2017/File201732910473371863.png[/img][center][/center]   2017年起,手機零部件漲價一路高歌猛進,受手機硬件升級帶動Memory、MOSFET器件漲價超出預期,第二季度,PC和手機整機廠商備貨下半年,處理器、CI… [閱讀全文]
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  • ·功率半導體銷售回穩 高壓MOSFET表現搶眼2016.7.27
  •   IC Insights指出,歷經2015年大幅衰退后,2016年全球功率半導體市場可望重新回穩,銷售金額比2015年成長1%,達124億美元。值得注意的是,在各類功率半導體元件中,未來成長力道最強勁的產品將是高壓MOSFET(超過200V)與IGBT模組,兩類產品在20… [閱讀全文]
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  • ·英飛凌將從2017年開始量產SiC MOSFET2016.5.10
  •   全球最大的功率半導體廠商英飛凌科技終于要開始量產碳化硅(SiC) MOSFET了(英文發布資料)。該公司將從2016年下半年開始面向特定用途供應樣品,從2017年開始量產。英飛凌早在2001年就先于競爭對手推出了SiC二極管產品。SiC晶體管方面,現… [閱讀全文]
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  • ·更小、更快、更酷、更高效,900V SiC MOSFET在PFC…2015.11.13
  •   Wolfspeed 原CREE Power產品)推出業界首款900V SiC MOSFET系列產品,拓展了高頻電力電子應用的范圍。相比于相當于硅MOSFET,這一突破900V SiC使我們的產品的新市場通過擴大我們在終端系統解決功率范圍。該系列產品提供了更高的開關速率和更… [閱讀全文]
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  • ·業界首款900V SiC MOSFET,導通電阻65 mΩ2015.9.14
  •   SiC市場領導者Cree(科銳公司)近期推出了首款能夠突破業界SiC功率器件技術的900V MOSFET平臺。該款升級版平臺,基于Cree的SiC平面技術從而擴展了產品組合,能夠應對市場更新的設計挑戰,可用于更高直流母線電壓。且領先于900V超結Si基MOSFET… [閱讀全文]
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  • ·世界首家!ROHM開始量產采用溝槽結構的SiC-MOSFET2015.6.24
  •   全球知名半導體制造商ROHM近日于世界首家開發出采用溝槽結構的SiC-MOSFET,并已建立起了完備的量產體制。與已經在量產中的平面型SiC-MOSFET相比,同一芯片尺寸的導通電阻可降低50%,這將大幅降低太陽能發電用功率調節器和工業設備用電源、工… [閱讀全文]
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  • ·英特爾大會 卻聚焦MOSFET缺貨2013.7.31
  •   轉自臺灣工商時報的消息,英特爾昨(30)日在臺召開年度Ultrabook生態系統論壇,只不過,與會的ODM/OEM廠或PC生產鏈業者,討論的都是日本IDM廠瑞薩退出PC低壓金氧半場效晶體管(Low Voltage MOSFET)市場后,引發的缺貨及漲價效應。 … [閱讀全文]
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  • ·全球首次開發出使用氧化鎵的MOSFET2013.6.21
  •   日本信息通信研究機構(NICT)、村田制作所及光波公司于2013年6月19日宣布,全球首次開發出了使用氧化鎵(Ga2O3)的MOSFET(金屬氧化物半導體場效應管)。這種MOSFET有望實現非常高的耐壓并大幅降低開關損失。   日本信息通信研究機… [閱讀全文]
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  • ·三菱電機發表SiC MOSFET新制造技術2013.5.30
  •     三菱電機在功率半導體國際會議“ISPSD 2013”(2013年5月26~30日在石川縣金澤市舉行,日本電氣學會主辦)上發表演講,介紹了可緩解閾值電壓與載流子遷移率之間的消長問題的SiC MOSFET制造技術(演講序號:2-4)。一般來說,S… [閱讀全文]
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  • ·Vishay Siliconix發布用于功率MOSFET的免費在線仿…2013.3.6
  • [img]http://image.52rd.com/2013/File20133615302548031.jpg[/img][center]更強大的在線熱仿真工具讓使用者能夠定義更多的真實條件,同時用戶使用更加友好[/center]     日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代… [閱讀全文]
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  • ·Vishay Siliconix推出業內最低導通電阻的TrenchFET…2013.1.14
  • [img]http://image.52rd.com/2013/File201311415504154646.jpg[/img][center]器件采用芯片級MICRO FOOT® 1mm x1mm和1.6mmx 1.6mm封裝,在4.5V下的導通電阻低至20mΩ[/center]     日前,Vishay Intertechnology, I… [閱讀全文]
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  • ·Vishay Siliconix 推出業內率先采用PowerPAK® …2013.1.9
  • [img]http://image.52rd.com/2013/File2013191340835504.jpg[/img][center] 新款100V N溝道TrenchFET®功率MOSFET采用ThunderFET®技術,在1.6mm x 1.6mm和2mm x 2mm占位面積內實現83mΩ的低導通電阻[/center]   … [閱讀全文]
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